Samsung представила модули памяти DDR5 на 512 ГБ с удвоенной скоростью

Samsung представила модули памяти типа DDR5 созданные по новой технологии.

Новые модули будут использоваться в серверном сегменте рынка. Суперкомпьютеры и вычислительные центры смогут воспользоваться данным типом ОЗУ при переходе на новые платформы.

Стандарты памяти, созданные по новой технологии, позволяют увеличить энергоэффективность более чем на 10%. Данный тип памяти повысит скорость потока данных до 7,2 Гбит/с, что на 100% выше, по сравнению с DDR4.

Модуль памяти Samsung имеет на борту 32 блока по 16 Гб каждый. Новый модули памяти позволят увеличить общий объём ОЗУ на устройствах до 8 Тб. Память прошлого поколения позволяла установить данное значение только до 4 Тб.

Samsung заявила, что испытание новых плашек памяти уже производится на оборудовании партнёров. К моменту выхода устройств, поддерживающих DDR5, модули будут уже полностью готовы.

Ранее мы писали о тестах модулей памяти DDR5 для персональных устройств.

Samsung представила модули памяти DDR5 на 512 ГБ с удвоенной скоростью

Наверх